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1N4448中文资料

1N4448图片

1N4448外观图

  • 大小:976.91KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:1N4448 Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit Repetitive peak reverse voltage V RRM 100 V Reverse voltage V R 75 V Peak forward surge current t p =1 s I FSM 2 A Repetitive peak forward current I FRM 500 mA Forward current I F 300 mA Average forward current V R =0 I FAV 150 mA Power dissipation l=4mm, T L =45 C P V 440 mW l=4mm, T L 25 C P V 500 mW Junction temperature T j 200 C Storage temperature range T stg –65...+200 C Maximum Thermal Resistance T j = 25 C Parameter Test Conditions Symbol Value Unit Junction ambient l=4mm, T L =constant R thJA 350 K/W Electrical Characteristics T j = 25 C Parameter Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit Forward voltage I F =5mA 1N4448 V F 0.62 0.72 V g I F =100mA 1N4448 V F 1 V Reverse current V R =20 V I R 25 nA V R =20 V, T j =150 C I R 50 A V R =75 V I R 5 A Breakdown voltage I R =100 A, t p /T=0.01, t p =0.3ms V (BR) 100 V Diode capacitance V R =0, f=1MHz, V HF =50mV C D 4 pF Rectification efficiency V HF =2V,
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):100V
  • 电流 - 平均整流 (Io):200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 100mA
  • 速度:小信号 =
  • 反向恢复时间(trr):4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:5µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F:2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装:DO-35
  • 包装:散装
  • 其它名称:1N4448-ND1N4448FS

1N4448供应商

更新时间:2022-12-31 04:45:37
  • 供应商
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